ipo de CanalN

Corriente Máxima Continua de Drenaje64 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V

Resistencia Máxima Drenador-Fuente14 mO

Tensión de umbral de puerta máxima4V

Tensión de umbral de puerta mínima2V

Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V

Tipo de EncapsuladoTO-220AB

Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante

Conteo de Pines3

Configuración de transistorSimple

Modo de CanalMejora

CategoríaMOSFET de potencia

Disipación de Potencia Máxima130 W

Altura8.77mm

SerieHEXFET

Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C

Ancho4.69mm

Número de Elementos por Chip1

Material del transistorSi

Tiempo de Retardo de Encendido Típico12 ns

Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs81 nC a 10 V

Capacitancia de Entrada Típica @Vds1970 pF a 25 V

Longitud10.54mm

Dimensiones10.54 x 4.69 x 8.77mm

Tiempo de Retardo de Apagado Típico34 ns