Tipo de CanalP

Corriente Máxima Continua de Drenaje11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V

Resistencia Máxima Drenador-Fuente500 mO

Tensión de umbral de puerta mínima2V

Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V

Tipo de EncapsuladoTO-220AB

Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante

Conteo de Pines3

Configuración de transistorSimple

Modo de CanalMejora

CategoríaMOSFET de potencia

Disipación de Potencia Máxima125 W

Capacitancia de Entrada Típica @Vds1200 pF a 25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs44 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C

Tiempo de Retardo de Encendido Típico14 ns

Tiempo de Retardo de Apagado Típico39 ns

Número de Elementos por Chip1

Ancho4.7mm

Altura9.01mm

Dimensiones10.41 x 4.7 x 9.01mm

Longitud10.41mm

Material del transistorSi