MOSFET, P, -100 V, -23 A, TO-220

Polaridad del transistor: P

Voltaje máximo Vds: 100 V

Resistencia en estado encendido: 0,117 ohmios

Disipación de potencia: 94W

Estilo de caja de transistor: TO-220AB

Id. de corriente continua: 19 A

Temperatura actual: 25°C

Marcado del dispositivo: IRF9540N

Temperatura nominal de potencia máxima: 25 °C

Resistencia térmica de la unión a la caja A: 1,1 °C/W

Espaciado del cable: 2,54 mm

Resistencia máxima en estado encendido: 0,117 ohmios

Voltaje máximo Vgs th: -4 V

Disipación de potencia Pd: 94 W

Corriente de pulso Idm: 76 A

Tipo de transistor: MOSFET

Voltaje típico Vds:-100V

Voltaje típico Vgs th:-4V

Voltaje Vds:100V

Voltaje Vgs Rds en la medición: -10 V