Polaridad del transistor: N

Corriente máxima Id: 8A

Voltaje máximo Vds: 500 V

Resistencia en estado encendido: 0,85 ohmios

Voltaje de medición Rds: 10 V

Voltaje máximo Vgs: 30 V

Disipación de potencia: 125 W

Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a +150 °C

Id. de corriente continua: 8 A

Temperatura nominal de potencia máxima: 25 °C

Resistencia térmica de la unión a la caja A: 1 °C/W

Voltaje máximo Vgs th: 4 V

Disipación de potencia Pd: 125 W

Corriente de pulso Idm: 28 A

Tipo de transistor: MOSFET

Tiempo de apagado, t Apagado: 19 ns

Tiempo de encendido, t On:25ns

Voltaje típico Vds: 500 V

Voltaje típico Vgs th: 4 V

Voltaje Vgs Rds en la medición: 10 V