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TRANSISTOR H30R1353 ENCAPSULADO TO247
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TRANSISTOR H30R1353 ENCAPSULADO TO247

14,37 €
Impuestos incluidos
Transistor H30R1353 Mosfet encapsulado TO 247 IGBT + Diode
Polaridad N
Capacitancia de salida, typ: 67 pF
Temperatura máxima de unión: 175 ?
Cantidad
Sin stock
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Categoría: IGBT

Cápsula: TO-247

Voltaje máximo: 1350V

Dispación (Ptot):208 W

Rango de temperatura operativa:-40°C to +150°C

transistor bipolar o transistor de cristal, es un dispositivo semiconductor que controla la corriente. Su función es amplificar señales débiles en señales eléctricas de mayor amplitud, y también se utiliza como interruptor sin contacto. El triodo es uno de los componentes semiconductores básicos, cuya función es la amplificación de corriente y es el componente principal de los circuitos electrónicos. Un transistor es un dispositivo que produce dos uniones PN muy próximas entre sí sobre un sustrato semiconductor. Las dos uniones PN dividen el semiconductor en tres partes: la central es la región base y los dos laterales son las regiones emisora y colectora. Existen dos tipos de configuraciones: PNP y NPN.

20H30R1353
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