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TRANSISTOR G50H603 ENCAPSULADO TO247
10,38 €
Impuestos incluidos
TRANSISTOR IGBT G50H603 650V 50A TO247
Tipo de transistor: MOSFET
Polaridad del transistor: canal N
Voltaje de fuente de drenaje, Vds: corriente de drenaje continuo de 60V, Id: 50A
En resistencia, Rds (encendido): 0.022ohm
Tipo de transistor: MOSFET
Polaridad del transistor: canal N
Voltaje de fuente de drenaje, Vds: corriente de drenaje continuo de 60V, Id: 50A
En resistencia, Rds (encendido): 0.022ohm
Transistor IGBT alta velocidad
650V 50A
Encapsulado TO247
EMI bajo
Temperatura máxima 175º
Cumple RoHS
2050N60
1 Artículo
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TRANSISTOR IGBT G50H603 650V 50A TO247
Tipo de transistor: MOSFET
Polaridad del transistor: canal N
Voltaje de fuente de drenaje, Vds: corriente de drenaje continuo de 60V, Id: 50A
En resistencia, Rds (encendido): 0.022ohm
Tipo de transistor: MOSFET
Polaridad del transistor: canal N
Voltaje de fuente de drenaje, Vds: corriente de drenaje continuo de 60V, Id: 50A
En resistencia, Rds (encendido): 0.022ohm