Transistores de potencia de silicio NPN de la serie SWITCHMODE

Estos dispositivos están diseñados para circuitos inductivos de conmutación de potencia de alta velocidad y alto voltaje donde el tiempo de caída es crítico. Son especialmente adecuados para aplicaciones de MODO CONMUTADO de 115 y 220 V, como reguladores de conmutación, inversores, controles de motor, controladores de solenoide/relé y circuitos de deflexión.

CARACTERÍSTICAS DE ESPECIFICACIÓN:

• VCEO(sus) 400 V

• Polarización inversa SOA con cargas inductivas a TC = 100 °C

• Matriz de conmutación inductiva de 2 a 4 A, 25 y 100 °C

tc a 3 A, 100 °C es 180 ns (típico)

• Capacidad de bloqueo de 700 V

• Información sobre aplicaciones de conmutación y SOA.