
Especificaciones:
Categoría del producto: Transistor bipolar, BJT.
Polaridad del transistor: NPN.
Número de pines: 3
Voltaje Colector-Base (Vcbo): 50Vdc.
Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 45Vdc.
Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5Vdc.
Corriente máx colector (Ic): 500mA.
Potencia disipada (Ptot): 625mW.
Factor ampliación (hFE): 170 - 630.
Frecuencia máx de trabajo (fT): 100Mhz.
Temperatura de operacion: -55ºC - 150°C.
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