TRANSISTOR 2N-7000
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TRANSISTOR 2N-7000

0,38 €
Impuestos incluidos
TRANSISTOR 2N7000
Cantidad

Tipo FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (óxido de metal)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC

200mA (Ta)

Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)

4.5V, 10V

Rds On (máx) @ Id, Vgs

5Ohm a 500mA, 10V

Vgs(th) (máx) a Id

3V a 1mA

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds

50 pF @ 25 V

Característica de FET

-

Disipación de potencia (Máx.)

400mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grado

-

Calificación

-

Tipo de montaje

Orificio pasante

Paquete del dispositivo del proveedor

TO-92-3

Paquete / Caja (carcasa)

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Número de producto base

2N7000

202N7000
2 Artículos
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