

Tipo de CanalN
Corriente Máxima Continua de Drenaje60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente14 mO
Tensión de umbral de puerta máxima2V
Tensión de umbral de puerta mínima1V
Tensión Máxima Puerta-Fuente-16 V, +16 V
Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
Tipo de MontajeMontaje superficial
Configuración de transistorSimple
Conteo de Pines3
Modo de CanalMejora
CategoríaMOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima110 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
Tiempo de Retardo de Encendido Típico14 ns
Material del transistorSi
Número de Elementos por Chip1
Ancho6.22mm
Altura2.39mm
SerieHEXFET
Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
Longitud6.73mm
Dimensiones6.73 x 6.22 x 2.39mm
Tiempo de Retardo de Apagado Típico24 ns
Carga Típica de Puerta @ Vgs23 nC a 5 V
Capacitancia de Entrada Típica @Vds1570 pF a 25 V
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