

ipo de CanalN
Corriente Máxima Continua de Drenaje64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente14 mO
Tensión de umbral de puerta máxima4V
Tensión de umbral de puerta mínima2V
Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
Tipo de EncapsuladoTO-220AB
Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Conteo de Pines3
Configuración de transistorSimple
Modo de CanalMejora
CategoríaMOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima130 W
Altura8.77mm
SerieHEXFET
Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
Ancho4.69mm
Número de Elementos por Chip1
Material del transistorSi
Tiempo de Retardo de Encendido Típico12 ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs81 nC a 10 V
Capacitancia de Entrada Típica @Vds1970 pF a 25 V
Longitud10.54mm
Dimensiones10.54 x 4.69 x 8.77mm
Tiempo de Retardo de Apagado Típico34 ns
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