

Tipo de CanalP
Corriente Máxima Continua de Drenaje11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente500 mO
Tensión de umbral de puerta mínima2V
Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
Tipo de EncapsuladoTO-220AB
Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Conteo de Pines3
Configuración de transistorSimple
Modo de CanalMejora
CategoríaMOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima125 W
Capacitancia de Entrada Típica @Vds1200 pF a 25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs44 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
Tiempo de Retardo de Encendido Típico14 ns
Tiempo de Retardo de Apagado Típico39 ns
Número de Elementos por Chip1
Ancho4.7mm
Altura9.01mm
Dimensiones10.41 x 4.7 x 9.01mm
Longitud10.41mm
Material del transistorSi
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