

* MOSFET, P, -100 V, -23 A, TO-220
* Polaridad del transistor: P
* Voltaje máximo Vds: 100 V
* Resistencia en estado encendido: 0,117 ohmios
* Disipación de potencia: 94W
* Estilo de caja de transistor: TO-220AB
* Id. de corriente continua: 19 A
* Temperatura actual: 25°C
* Marcado del dispositivo: IRF9540N
* Temperatura nominal de potencia máxima: 25 °C
* Resistencia térmica de la unión a la caja A: 1,1 °C/W
* Espaciado del cable: 2,54 mm
* Resistencia máxima en estado encendido: 0,117 ohmios
* Voltaje máximo Vgs th: -4 V
* Disipación de potencia Pd: 94 W
* Corriente de pulso Idm: 76 A
* Tipo de transistor: MOSFET
* Voltaje típico Vds:-100V
* Voltaje típico Vgs th:-4V
* Voltaje Vds:100V
* Voltaje Vgs Rds en la medición: -10 V
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