
IRF9530. Transistor MOSFET canal P 100V 14A 0.2O. THD capsula TO220AB
IRF9530
Características:
Fabricante
Varios
Tipo de transistor
P-MOSFET
Tecnología
HEXFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
-100V
Corriente del drenaje
-14A
Poder disipado
79W
Carcasa
TO220AB
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0.2O
Montaje
THT
Carga de puerta
38.7nC
Clase de empaquetado
tubo
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