TRANSISTOR 80N60UFTU
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TRANSISTOR 80N60UFTU

11,23 €
Impuestos incluidos
G80N60UFD 80N60 TRANSISTOR IGBT
Cantidad

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

VCES Collector-Emitter Voltage 600 V

Voltaje de puerta-emisor VGES ± 20 V

Corriente del colector IC @ TC = 25 ° C 80 A

Corriente de colector IC @ TC = 100 ° C 40 A

Corriente de colector pulsado ICM (1) 220 A

IF Diodo Continuo Corriente Directa @ TC = 100 ° C 25 A

IFM Diode Maximum Current Corriente directa 280 A

Disipación de potencia máxima PD @ TC = 25 ° C 195 W

Disipación de potencia máxima @ TC = 100 ° C 78 W

TJ Temperatura de unión de funcionamiento -55 a +150 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento Tstg -55 a +150 ° C

2080N60
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